砷化镓（GaAs）是镓和砷元素的化合物。它是具有闪锌矿晶体结构的III-V直接带隙半导体。砷化镓用于制造微波频率集成电路，单片微波集成电路，红外发光二极管，激光二极管，太阳能电池和光学窗口等设备。GaAs通常用作外延生长其他III-V半导体的衬底材料，包括砷化铟镓，砷化铝镓等。厦门中芯晶研可提供2”,3”,4”砷化镓单晶片。