1. 霍尔元件材料-砷化镓外延片 (Hall Components – GaAs Epi Wafer)：砷化镓具有高频，高温，噪声小，低温性能好，抗辐射能力强等特点。因而，基于砷化镓材料制造的霍尔元件具有更高的稳定性和可靠性.   2. 异质结双极晶体管AlGaAs、InGaP/GaAs、InP/InGaAs外延片 (HBT AlGaAs, InGaP/GaAs, InP/InGaAs Epitaxial Wafer)： AlGaAs/GaAs异质结外延片具有良好的晶格匹配，容易实现微波与光电器件及其IC； InP/InGaAs异质结外延片的晶格能匹配，其中InGaAs具有很高的电子迁移率； InGaP/GaAs异质结外延片不易氧化，具有较大的价带不连续性和较小的导带不连续性，是RF电路设计的**。   3. GaAs、InP基雪崩光电二极管外延片 (APD Epiatxial Wafer)： InGaAs/InP APD外延材料易于生长，具有高量子效率和低暗电流。因而与普通光电二极管相比，基于GaAs/InP外延结构的雪崩光电二极管具有灵敏度高，电流增益大以及频率响应快等特点。   4. 赝调制掺杂异质结场效应晶体管砷化镓外延片(pHEMT GaAs Epitaxy)：基于GaAs 外延材料的赝配高电子迁移率晶体管 ( PHEMT) 因其高电子迁移率、高电流调制效率、低损耗等优异性能，广泛应用于微波和毫米波等频段。   5. 635nm~2004nm激光GaAs外延片 (635nm~2004nm Laser Diode Epi Wafer)： GaAs基激光二极管外延片通过MOCVD反应器生长，用于光纤通信、工业应用、VCSEL、红外及光电探测器等各个领域